Princíp zosilnenia triódy
1. Štartovacia oblasť emituje elektróny do základnej oblasti
Zdroj energie Ub sa privádza na emitorovú križovatku cez rezistor Rb a emitorová križovatka je predpätá dopredu a majoritné nosiče (voľné elektróny) v emitorovej oblasti nepretržite prechádzajú emitorovou spojkou do základnej oblasti, aby vytvorili emitorový prúd Ie. , Súčasne väčšina nosičov v základnej oblasti tiež difunduje do emitorovej oblasti. Pretože je však koncentrácia väčšinového nosiča oveľa nižšia ako koncentrácia nosiča v emitorovej oblasti, tento prúd sa môže ignorovať. Preto je možné usúdiť, že emitorová križovatka je hlavne elektrónový prúd.
2. Difúzia a rekombinácia elektrónov v základnej oblasti
Keď elektrón vstúpi do základnej oblasti, je hustý v blízkosti emitorovej križovatky a postupne vytvára rozdiel koncentrácie elektrónov. V dôsledku rozdielu koncentrácie sa prúd elektrónov rozptyľuje do spojenia kolektora v základnej oblasti a elektrické pole kolektora je vtiahnuté do prúdového kolektora. Región tvorí kolektorový prúd Ic. Existuje tiež malá frakcia elektrónov (pretože základná oblasť je veľmi tenká) rekombinovaná s otvormi v základnej oblasti a pomer difúzneho toku elektrónov k toku kompozitných elektrónov určuje amplifikačnú schopnosť triódy.
3. Zber elektriny v oblasti kolektorov
Pretože spojenie kolektora plus spätné napätie je veľké, sila elektrického poľa generovaná týmto spätným napätím zabráni elektrónom v oblasti kolektora difundovať do základnej oblasti a súčasne elektróny difundujú do blízkosti kolektora. spojenie je vtiahnuté do oblasti kolektora, aby sa vytvoril hlavný kanál kolektora. Aktuálne Icn. Okrem toho menšinové nosiče (diery) v kolektorovej oblasti tiež produkujú driftový pohyb, ktorý tečie do základnej oblasti, aby vytvoril spätný saturačný prúd, ktorý predstavuje Icbo, ktorý je síce malý, ale extrémne citlivý na teplotu.